大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zà韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔i)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quá韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔n)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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