大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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