大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪八千米多少公里存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng八千米多少公里)性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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